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铟镓砷（InGaAs）光电探测器和硫化铅（PbS）光电探测器在暗电流方面有一些差异。暗电流是描述在没有光照的情况下探测器内部产生的电流的一种参数，暗电流的大小直接影响探测器的性能。
InGaAs光电探测器在暗电流方面表现较好，与传统的PbS探测器相比，InGaAs探测器具有更低的暗电流，特别是在低温环境下，这一优势更为明显，低暗电流可以提高探测器的灵敏度和信噪比，使其在弱光条件下的性能更加出色，InGaAs探测器还具有响应速度快、光谱响应范围宽等优点。
PbS探测器在某些特定应用中也有其独特的优势，在某些需要较高探测率的场合，如红外探测领域，PbS探测器可能具有更高的性能，PbS探测器在某些特定波长范围内的响应可能优于InGaAs探测器。
两种探测器在暗电流方面的表现主要取决于其材料特性和应用环境，在选择合适的探测器时，需要根据具体的应用需求和环境条件进行综合考虑，如果需要更低的暗电流和更快的响应速度，InGaAs探测器可能是一个更好的选择；而在需要较高探测率或对某些特定波长有特定需求的场合，PbS探测器可能更为合适。